半导体完全纯净,不含其他杂质,具有晶体结构
掺杂5价元素(磷、锑、砷)
掺杂3价元素(硼、镓、镓)
1)正向导通性 多子扩散,少子漂移 2)反向截止特性 3)反向击穿特性
截至:两者都是反偏 饱和:两者都正偏 放大:发射结正偏,集电结反偏
齐纳击穿,雪崩击穿
共模干扰和差模干扰
电压放大、电流放大、跨导放大、互阻放大
比例运算、加减运算、积分运算、微分运算、指数和对数运算
单限比较器、滞回比较器、窗口比较器
成本征半导体后具有良好的可控性,有利于掺杂N、P型半导体
少子是影响温度稳定性的主要因素。温度会影响载流子的浓度。载流子的浓度决定了半导体的导电性,因此温度会影响半导体的性能
因为PN结的电容效应(PN结外加电压频率高到一定程度,单向导电性丧失)
静态工作点过低,截至失真,静态工作点过高,饱和失真
射集跟随器输入电阻大,输出电阻小,带载能力强(共集接法:共x接法关键看输入输出没有哪个集,也就是什么接法)
1)结型场效应管 N沟道、P沟道 2)绝缘格栅场效应管(MOS) N沟通增强,N沟通耗尽,P沟通增强,P沟道耗尽型
:直接耦合、电阻耦合、变压器耦合、光电耦合 : R i 1 R_{i1} Ri1一级输入电阻 : R o n R_{on} Ron最后一级输出电阻
晶体管 :放大电压和电流,输入电阻中等,输出电阻大(带载不好),带宽窄 :只放大电流,输入电阻大,输出电阻小,装载好 :只放大电压,输入电阻小,频率特性好,频带宽 场效应管 :输入电阻大,电压放大倍数几到十
当温度变化或电源电压变化时,静态工作点也会发生变化,导致输出电压偏离初始值零点 解决方案:1)采用恒温措施 2)补偿法(通过热敏元件抵消放大管的变化或使用差分放大电路)3)采用直流负反馈稳定静态工作点
电压和电流反馈:短路输出电压,电流反馈仍然存在,电压反馈消失 串联并联反馈:看输入是电压运算还是电流运算,电压运算是串联反馈,电流运算是并联反馈
稳定输出电压电压反馈,稳定输出电流电流反馈,减少输入电阻电流反馈,增加输入电阻电压反馈
输入端电压接近0,可视为短路,故称虚短;输入端电流几乎为0,可视为断路,故称虚断。
将电能转换为其他形式的能量的装置称为负载。对于不同的负载,电路输出特性不会因负载的剧烈变化而变化,即负载能力。
低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器、全通滤波器