最近接触到了不同DC库，码一下区别。
这几个都是CMOS集成电路的相关的基本概念。转折区中点对应的输入电压通常会随着输入电压的变化而变化。。
. Can be used in the path where timing is not critical. So by using HVT cells we can save power.
. One should use these cells in timing critical paths. These cells are fast but , comsumes more power due to its leakage. So it will consume more power. So use only when timing is critical.
. Best of both world. Medium delay and medium power requirment. So if timing is not met by small magin with HVT, you should try with SVT. And at last LVT.
. Another name for SVT.
阈值电压越低，饱和电流越小，速度性能越高；但由于漏电流越大，功耗越差。
速度按快到慢依次排列SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗正好相反。也就是说，HVT的cell阈值电压最大，掺杂浓度越高，泄漏功耗最小；
对于NPN晶体管为n型半导体，电子导电，P衬底多子是空穴，电子越高，导电越困难，阈值电压升高，泄漏功耗降低。
对于PNP晶体管是P型半导体，其导电是空穴，N衬底是电子的，混合越高，空穴越少，导电越困难。
总结来说，LVT：低阈值 该仓库漏电流大，但延迟小；SVT：标准阈值 居两者中间，HVT：高阈值 这种仓库漏电流小，但延迟大。最好在关键路径上使用LVT考虑到降低功耗，最好使用库HVT的库。