导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管道可以在越来越多的新能源和汽车电子应用中找到MOSFET许多应用程序需要超低导电阻MOSFET功率器件。
什么是Rds(ON)？
Rds(ON)是MOSFET工作(启动)时，漏极D和源极S之间的电阻值为欧姆。对于类似的MOSFET器件，Rds(ON)值越小，工作时的损耗(功率损耗)就越小。
mos管工作电路
集电极饱和电压用于一般晶体管的功耗（VCE(sat)）乘以集电极电流（IC）表示：
PD=(集电极饱和电压VCE(sat)）x(集电极电流IC）
对于MOSFET，功耗用漏极源极间导电阻（Rds(ON)）计算。MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的Rds(ON)乘以漏极电流（ID)平方表示：
PD =(导电阻Rds(ON)）x（漏极电流ID）2
由于消耗功率会变成热量，这将对设备产生负面影响，因此电路设计将采取一定的对策来减少热量，即降低消耗功率。
由于MOSFET发热元凶是导通电阻Rds(ON)，一般应用中都有要求Rds(ON)在Ω级以下。
与一般晶体管相比，MOSFET消耗功率小，发热小，散热对策相对简单。
Rds(ON)与VGS的关系
通常，栅极源极间电压（VGS）越高，Rds(ON)越小。栅极源极间电压相同，Rds(ON)因电流而异。在计算功率损耗时，需要考虑网极源极间电压和漏极电流，选择合适的Rds(ON)。
导电阻-栅极源极间电压特性
一般MOSFET芯片尺寸(表面积)越大，Rds(ON)越小。在不同尺寸的小包装条件下，芯片尺寸越大，所以Rds(ON)越小。在应用中，选择更大，Rds(ON)会更小。
Rds(ON)与温度的关系
除了VGS，温度是影响Rds(ON)的一个主要因素，与导通状态无关，无论是放大状态还是开关状态，温度的影响都十分明显，因此需要注意这一特性。
导电阻-结温特性
MOSFET饱和导通条件下，Rds(ON)随着温度的升高，结温有增加的趋势Tc从25℃增加到100℃时，Rds(ON)大约会增加一倍，这意味着随着温度的升高，泄漏源极的压降增加，泄漏电流减少，泄漏功耗增加，在配置独立散热器时应注意这一点。
Rds(ON)与耐压的关系
许多地方需要汽车、充电桩、光伏发电和风力发电MOSFET能承受一定的电压。如果你想要更高的耐压性，你必须MOSFET做厚，越厚MOSFET导通电阻越大。这样，在等条件下的低导电阻MOSFET它具有竞争优势，因此制造商在材料和技术上努力减少导电阻，只有1mΩ，此时的损失特别小。
各封装尺寸mos比较管道的导电阻值。