晶闸管又称可控硅，属于半控器件。
电器符号
外形
原理
导通：阳极-阴极加正电压，门极-阴极加正电压。
关断：阳极电流减小到一定数值以下。（晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用）
特性
在门极电流Ig1=在0的情况下，正向阳极电压逐渐增加，晶闸管处于断态状态，只有小的正向泄漏电流；当达到转弯电压时，增加正向阳极电压Ubo泄漏电流突然急剧增加，自身压降很小，晶闸管正向导通(门极电流越大，阳极电压转折点越低；正常情况下，阳极电压不允许增加Ubo使晶闸管导通)。通常情况下，通过门极输入触发电流Ig，导通晶闸管。当电流小于维持电流时，逐渐降低阳极电流Ih晶闸管阻断时。
晶闸管承受反向阳极电压，晶闸管阻断；电压增加到一定值，漏电流增加迅速；晶闸管击穿损坏继续增加。
主要参数
峰值电压正向重复Udrm：当门断开和晶闸管阻断时，晶闸管两端的正峰值电压可以重复。正峰值电压不重复Udsm，Udrm=Udsm*80%。
峰值电压反向重复Urrm：当门断开时，晶闸管两端的反向峰值电压可以重复。反向不重复峰值电压Ursm，Urrm=Ursm*80%。
额定电压Uvtn：Udrm和Urrm较小值并向下取整(百伏)。
额定电流Ivt：长期允许的最大工频半波电流平均值。
通态平均电压Uvt：额定电流时，晶闸管阳极与阴极之间电压降的平均值。当晶闸管流过较大的恒定直流电流时，其通态平均电压大于制造商的定义值，约为1.5V。
维持电流Ih和擎住电流Il：门极开路时，能维持晶闸管连续导通的最小电流称为维持电流Ih；门极加触发晶闸管导通后，立即拆除触发电压。此时，设备维持导通所需的电流称为引擎电流Il。
门极触发电流Igt：室温，阳极电压6V在直流电压下，晶体管从阻断到完全打开所需的最小门极直流电流。
门极触发电压Ugt：对应门极触发电流时的电压。
断态电压临界上升率du/dt：在门极断路条件下，从断态到通态的最低电压上升率。
通态电流的临界上升率di/dt：当门极触发晶闸管导通时，能承受而不损坏的通态电流的最大上升率。
选型
额定电流原理：确定电路最大电流Ivtm，Ivt=(1.5~2)*(Ivdm/1.57)。
额定电压原理：确定电路最大反向或反向电压Uvtm，Uvt = (2~3)*Uvtm。
派生器件
双向晶闸管：在同一硅片中集成一对反并联的普通晶闸管，只使用门极触发的组合器件。G端加 /-电压可导通晶闸管，但触发灵敏度为1 > 1- = 3- > 3 。
快速晶闸管：几十个工作频率~几千Hz，开通时间1~2us，关断时间几~几十us。
光控晶闸管：用光信号触发晶闸管导通。
门极驱动
晶闸管触发主要包括移相触发、过零触发和脉冲列调制触发。触发脉冲的要求如下：
1.脉冲触发信号被广泛用于减少门的极端损耗。
2.触发脉冲应用足够的功率，并留有一定的余量。
3.触发脉冲应具有一定的宽度，脉冲的前沿应尽可能陡峭，使阳极电流能够快速上升，超过引擎电流保持引导。对于电感负载，触发脉冲的宽度应更大或双窄脉冲，因为电感会抵抗电流上升；有些需要强烈的触发脉冲。
4.触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。
脉冲电路与晶闸管的连接方式：
1.直接连接：主电路和触发电路由导线直接连接。由于主电路电压高，直接连接容易造成操作不安全，主电路经常干扰触发电路，因此该连接通常用于一些简单的设备。
2.光耦合器连接：光耦合器是将电信号转换为光信号，将光信号转换为电信号的半导体装置。它将发光和受光部件密封在同一管壳中，以光为媒介传递信号。砷化镓发光二极管通常用于光耦合器的发光源，而硅光敏二极管和光敏晶体管用于受光部分。光耦合器具有输入输出间电隔离、绝缘性好、抗干扰能力强的优点，常用于由微机组成的触发电路。
3.脉冲变压器耦合连接：脉冲变压器可将一侧脉冲信号传输到二次绕组，二次绕组与晶体管连接，主电路与控制电路绝缘良好。
仿真模型
路径
电路模型
输入输出
a：阳极 k：阴极 g：门极 m：测量电流和电压[Iak， Vak]
参数
Ron：晶闸管内电阻。内电感设为0时，内电阻不能设为0。
Lon：晶闸管内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。
Vf：晶闸管正向管压降。
Ic：晶闸管初始电流。非零时，内电感不能为0。
Rs：晶闸管缓冲电阻(串联缓冲电容，并联二极管)。Rs为0，纯电容。
Cs：晶闸管缓冲电容器(串联缓冲电容器，并联二极管)。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。
Il：晶闸管抓住电流。
Tq：晶闸管关闭时间。