高功率氮化镓场效应晶体管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半导体)高功率氮化镓场效应晶体管分为(上)(下)两期，包括其工艺、性能优势、产品和包装。本期将首先介绍 Nexperia氮化镓产品的成熟工艺(安世半导体)。

从产品概念和设计到制造和销售，把握最小细节，帮助世界上最严格的行业实现双赢的质量和效率。Nexperia（安世半导体）成功的关键是，我们始终致力于满足甚至超出客户期望的严格质量标准，这也将应用于我们功率氮化镓场效应晶体管的研发。

安世半导体产品符合国际公认的质量标准，基于经验丰富的零缺陷、六希格玛和安全量产过程（ISO 9000)，环境标准（ISO 14001)健康安全标准（ISO 45001 / OHSAS 18001)或特定行业标准（IATF 16949)要求我们所有的客户都能从中受益。我们有自己的晶圆加工和包装工厂，可以严格控制每个生产环节，还将提供氮化镓场效应晶体管 Nexperia 服务和支持与其他产品水平相同。

任何新技术都需要提高可信度，所以我们在开发氮化镓场效应晶体管时，也测试了应用和技术的独特质量和可靠性。

硅基氮化镓（GaN-on-Si）：

实现高功率和高效率

电力转换效率是促进电力电子发展的重要因素，但通常需要权衡功率密度和效率。

650要求高效率和高功率密度 V 硅基氮化镓场效应晶体管是理想的解决方案。它允许高压和 高频开关操作在大电流下进行。开关质量因数极低（RDS(on) x QGD）反向恢复电荷（Qrr）使设备在高频工作 降低系统功耗，实现高效功率转换。

在相同的测试电路中，反向恢复损。

硅氮化镓：颠覆性工艺

与硅（Si）相比，III-V 化合物半导体，如 GaN，通常具有性能优势。例如，GaN 物理性能稳定，带隙宽，耐高温 导热性相当。但是，III-V 半导体的加工成本往往更高。在大型硅基板上产生较厚的硅基板 GaN 外延层是近期才获得的 技术突破。它可以在现有 8 寸晶圆厂加工制造，将晶圆成本降低到具有竞争力的水平。

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