一、单极晶体管 单极晶体管又称场效应管，简称场效应管FET(Field Effect Transistor)。它是一种由输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制装置。它只有一个载流子（大多数载流子）参与导电，因此被称为单极晶体管。 特点：输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘格栅场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。 噪音低，热稳定性好，工艺简单，易于集成，设备特性控制方便，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同，可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)绝缘格栅场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。
二、双极晶体管双极晶体管，又称晶体三极管，是一种由输入电流控制的电流控制装置，具有电流放大的功能。它有两种载流子参与导电过程，因此被称为双极三极管。 特点： 三极管可用于放大微弱信号，并作为无触点开关。它具有结构牢固、使用寿命长、体积小、功耗低等一系列独特优点，广泛应用于各个领域。 分类： 晶体三极管可根据材料的不同分为硅管(Si)与锗管(Ge)。 硅三极管反向泄漏电流小，耐压高，温度漂移小，在高温下工作，功率损失大。锗三极管增益大，频率响应好，特别适用于低压线路。