SSD1306 在发送或接收任何信息之前，必须识别从机地址。设备将响应从机地址 跟随机地址（SA0 位)和读写选择位（R/W#位)，格式如下： SA0 位置为从机地址提供了一个位置扩展。0111100（0x3c） 或 0111101（0x3d） 都可以做为 SSD1306 从机地址。D/C#引脚作为 SA0 用于选择从机地址。R/W#用于决定 I2C 总线接口的操作模式。 R/W# = 1，读模式。R/W# = 0 写模式

I2C 总线接口为设备提供编写数据和命令的接口。 I2C 请参考下图： I2C 的写模式

1. 主机设备通过启动条件初始化数据通信。启动条件的定义显示在下图中。启动条件将通过 SDA 从高拉低而 SCL 保持高建立。
2. 以起始条件为标志的从机地址。 SSD1306，从机地址可以是b0111100”或 “b0111101”通过改变 SA0 到 LOW 或 HIGH（D/C 引脚作为 SA0）。
3. 通过设置来建立写作模式 R/W#为到逻辑 0 实现的。
4. 接收到字节数据后，响应位信号将发生，包括从机地址和 R/W#位。可以参考下面的应答位信号的图示。应答位的定义是在应答位相关的时钟脉冲的高周期中把 SDA 线拉低。
5. 从机地址传输后，控制字节或数据字节开始通过 SDA 传输。控制字节主要由 CO 和 D/C#位后加六个 0 组成的。 a) 如果 CO 为设为逻辑 后面传输的信息只包含数据字节。 b) D/C 如果位置决定了下一个数据字节是作为命令还是数据。 D/C#位设为0，下一个数据 就是命令。如果 D/C#位设为 1，下一个数据就是数据，将会存在 GDDRAM 中。GDDRAM 列地址指针将会在每次数据写之后自动加 1.
6. 应答位将会在接收到每个控制字节或数据字节之后发生
7. 写模式会在用了停止条件之后结束。停止条件：将 SDA 从低拉高，而 SCL 保持高。

请注意数据位的传输是有限制的 8. 数据位，在每个 SCL 脉冲阶段传输，必须在时钟脉冲高周期内保持稳定状态。可以参考 下面的图示。除了开始或停止条件，数据线只能在 SCL 为 LOW 的时候转换状态。 9. SDA 和 SCL 都必须接外接上拉电阻

       这个模块决定了输入数据被解读为数据还是命令。数据的解读是基于 D/C#引脚的输入。如果 D/C#引脚是高，D[7:0]就被解读为写到图像显示数据 RAM（GDDRAM）中的显示数据。        如果是低，D[7:0]的输入就被解读为一个命令。然后数据输入就会被解码并写到相关的命令寄存器中。

       这是一个片上低功耗 RC 震荡电路。操作时钟（CLK）可以由内部震荡器或外部 CL 引脚生成。        这个选择是通过 CLS 引脚完成的。当 CLS 引脚拉高，内部振荡器开启，CL 应该保留开启。将CLS 拉低可以静止内部振荡器，外部时钟必须连接到 CL 引脚上。当选择了内部振荡器之后，输出频率 Fosc 可以通过命令 D5h A[7:4]修改。        用于显示时钟发生器的显示时钟（DCLK）是源于 CLK 的。分频因子“D”可以通过命令 D5h 编程，范围为 1 到 16 DCLK = Fosc/D 显示的帧率是由下面的公式决定 D 代表时钟分频。由 D5h A[3:0]设置。范围是 1 到 16 K 是每行显示时钟的数量。值的计算如下： K = 相 1 周期 + 相 2 周期 + BANK0 脉冲宽度 = 2 + 2 + 50 = 54 在上电重启时 Number of Multiplex ratio 通过 command A8h 设置。上电重启值为 63 。 Fosc 是振荡器频率，可以通过命令 D5h A[7:4]修改。值越大频率越大。

当 RES# 输入为 LOW 时，芯片初始化为下面的状态：

       GDDRAM是一个位映射的静态RAM，保存要显示的位模式。RAM的大小为128x64位，内存分为8个页面，从PAGEO到PAGE7，用于单色128x64点阵显示，如图8-13所示        当一个数据字节写到 GDDRAM 中，所有当前列的同一页的行图像数据都会被被填充（比如，被列地址指针指向的整列（8 位）都会被填充）。数据位 D0 写到顶行，而数据位 D7 写到底行，如下图所示。        为了灵活性，segment 和 common 上的重映射都可以通过软件选择。        对于显示的垂直移动，一个内部的寄存器保存了显示开始行可以用来设置控制 RAM 数据部分来映射显示（命令 D3h）。

       这个命令用来设置显示的对比度，该芯片有 256 级对比度，从 00h 到 FFh。屏显输出电流随着对比度增大而增大。

       A4h 命令打开显示，输出依据 GDDRAM 中的内容。        如果使用 A5h 命令，然后再使用 A4h 命令，显示就会重覆盖为 GDDRAM 的内容。        换句话说，A4h 命令从整体显示开启状态覆盖显示。        A5h 命令轻质整体显示状态位开启，不管显示数据 RAM 中的内容。

       这个命令将显示设置成正常或反相模式。在正常模式 1 就是开，而在反相模式下 1 就是关

       这个命令是由五个连续字节来设置水平滚动参数和决定滚动开始页，结束页和滚动速度的。在声明这个命令前，水平滚动必须用命令（2Eh）关闭，否则，RAM 中的内容可能被损坏。SSD1306 水平滚动是为 128 列滚动设计的。下面的两张插图演示了滚动的效果：

       这是一个由六个连续字节组成的命令，用来设置持续水平滚动参数和决定滚动开始页，结束页，滚动速度和垂直滚动偏移的。        命令 29h、2Ah 中的字节 B[2:0],C[2:0]和 D[2:0]用来设置持续水平滚动。字节 E[5:0]用来设置持续垂直滚动的偏移量。所有这些字节一起设置持续倾斜（垂直+水平）滚动。如果垂直滚动偏移字节 E[5:0]设为 0，那么效果就只是水平滚动。        在发布此命令前必须用命令（2Eh）关闭滚动。否则，RAM 内容会损坏。下面的插图展示了滚动效果：

       这个命令停止滚动的动作。在发布命令 2Eh 来关闭滚动动作之后，RAM 内容需要重写。

       这个命令开始滚动的懂做，并且只有在声明了滚动设置参数之后使用。只对最后的设置命令有效 下面的命令在滚动激活后是禁止的：

1. RAM 访问（数据读写）
2. 改变水平滚动设置参数

       这个命令由三个连续的字节组成用来设置垂直滚动区域。对于持续垂直滚动功能（命令 29h 2Ah），垂直滚动的行数可以设置的更小或等于最大复用率。

       SSD1306 中有三种不同的内存地址模式：页地址模式，水平地址模式，垂直地址模式。这个命令将内存地址模式设置成这三种中的一种。在这里 COL 的意思是图形显示数据 RAM 列。 页地址模式（A[1:0] =10xb）        在页地址模式下，在显示 RAM 读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到了列的结束地址，列地址指针重置为列开始地址并且也地址指针不会改变。用户需要设置新的页和列地址来访问下一页 RAM 内从。页地址模式下 PAGE 和列地址指针的移动模式参考下图 在正常显示数据 RAM 读或写和页地址模式，要求使用下面的步骤来定义开始 RAM 访问的位置：

1. 通过命令 B0h 到 B7h 来设置目标显示位置的页开始地址
2. 通过 00h~0Fh 来设置低开始列地址的指针
3. 通过命令 10h~1Fh 来设置高开始列地址

       比如说，如果页地址设置为 B2h，低列地址是 03h 高列地址为 00h，那么就意味着开始列是PAGE2 的 SEG3.RAM 访问指针的位置如下图所示。输出数据字节将写到 RAM 列 3 的位置。 水平寻址模式（A[1:0]= 00b）        在水平寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，列地址指针自动加一。如果列地址指针达到列的结束地址，列地址指针重置为列的开始地址，并且页地址指针自动加 1。水平寻址模式下页和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到了结束地址，指针重设为列地址和页地址的开始地址。 垂直寻址模式（A[1:0]=01b）        在垂直寻址模式下，当显示 RAM 被读写之后，页地址指针自动加一。如果页地址达到了页的结束地址，页地址自动重置为页的开始地址，列地址自动加一。页地址和列地址的移动顺序如下图所示。当列地址和页地址都达到结束地址后，指针自动重置为开始地址。        在正常显示 RAM 读或写，水平/垂直寻址模式下，要求用下面的步骤来定义 RAM 访问指针位置：

1. 用 21h 命令设置目标显示位置的列的开始和结束地址；
2. 用命令 22h 设置目标显示位置的页的开始和结束地址

       这个三字节命令指定了显示数据 RAM 列开始地址和结束地址。这个命令也会设置列地址指针到列开始地址。这个指针用于定义当前读写的显示数据 RAM 列地址。如果用 20h 命令开启了水平寻址命令，在完成读写一个列数据之后，该指针就会自动指向下一列地址。当什么时候列地址指针完成了访问列结束地址，它就会返回到列开始地址，和行地址增加到下一行。

       这个三字节的命令指定了显示数据 RAM 页的开始和结束地址。这个命令同时也设置了页地址指针到页开始地址。这个指针用来定义在图像显示数据 RAM 中当前读写的地址。如果当前是垂直寻址模式，在读写完一页数据之后，会自动增加到下一页地址。当页地址指针完成访问结束页地址之后，会重置到开始页地址。        下面的插图展示了列和页地址指针的移动方式：列开始地址设置为 2，列结束地址设置为125，页开始地址设置为 1，页结束地址设置为 6；通过命令 20h 使能水平地址增加模式。在这个案例中，图形显示数据 RAM 可访问的地址就只有从列 2 到列 125，页 1 到页 6。另外，列地址指针被设为 2 页地址指针被设为 1.在完成读写数据中的一个像素后，列地址自动加 1 到下一个 RAM 位置进行下一次读写操作。当列地址指针完成访问结束列地址 125 之后，重新回到列 2，页地址自动加 1。当结束页 6 和结束列 125RAM 位置被访问过之后，页地址设回 1，列地址设回 2。

       这个命令设置显示开始行寄存器来决定显示 RAM 的开始地址，通过选择 0 到 63 的值。当值为 0 是，RAM 行 0 映射到 COM0，当值为 1 时，RAM 行 1 映射到 COM0，以此类推。

       这个命令修改显示数据列地址和 segment 驱动器之间的映射，允许在 OLED 模块设置上的灵活性。        这个命令只影响后续的数据输出。早已存储在 GDDRAM 中的数据不会改变。

       这个命令转换默认的 63 复用模式到任何复用率，范围从 16 到 63。输出 pads COM0~COM63将会转换为相关的 COM 信号。

       这是一个两字节的命令。第二个命令指定显示映射的开始行到 COM0 和 COM63 中的一个（假设 COM0 是显示的开始行，那么显示开始寄存器就等于 0）。        比如为了将 COM16 向 COM0 方向移动 16 行，第二个字节六位数据就应该写成 010000b。为了向相反方向移动 16 行，这个六位数据就应该是 64‐16，所谓第二个字节应该是 100000b。        下面两个表展示了命令 C0h/C8h 和 D3h 的设置效果

这个命令设置 COM 信号引脚配置来匹配 OLED 面板硬件层。下面的表展示了不同条件下的COM 引脚配置（复用率为 64）

这个命令由两个功能组成： 显示时钟分频率（A[3:0]）        设置分频率从 CLK 来生成 DCLK（display clock）。这个分频率的范围为 1 到 16，重置值为 1.请参考上表，获取 DCLK 和 CLK 关系的更多细节 振荡器频率（A[7:4]）        如果 CLS 引脚置高编程后的振荡器频率 Fosc 就是 CLK 的源。这个 4 位的值设置 16种不同的频率，默认设置为 1000b。

       这个命令用于设置充充电周期的时间长度。间隔以计算 DCLK 的数量，重置值为 2DCLK。

       这个命令调整 V C O M H V_{COMH} VCOMH​ 调节器输出

       空指令

       软件I2C程序见【51单片机快速入门指南】4： 软件 I2C        stdint.h见【51单片机快速入门指南】1：基础知识和工程创建

       由以上知识可知，SSD1306的7位地址可为0x3c、0x3d。最后一位由硬件决定。        如下图可见，我的屏幕的地址为0x3c（0x78 = 0x3c << 1）