干货分享 | 高功率氮化镓场效应晶体管：高性能、高效率、高可靠性（上）

（半导体）的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为（上）（下）两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia（安世半导体）氮化镓产品的成熟的工艺。

从产品概念和设计到制造和销售，把握好最小的细节才能助力全球最严苛的行业实现质量和效率双赢。Nexperia（安世半导体）成功的关键是，我们始终致力于满足甚至超越客户所期望的严格质量标准，这种要求严格的质量标准同样会应用到我们功率氮化镓场效应晶体管的研发中。

安世半导体的产品基于久经考验的零缺陷、六希格玛和安全量产流程，满足国际公认的质量标准（ISO 9000）、环境标准（ISO 14001）、健康和安全标准（ISO 45001 / OHSAS 18001）或特定行业标准（IATF 16949）要求，从而我们所有客户都能从中受益。我们拥有自有化的加工和封装工厂，可严格控制每一个生产环节，我们的氮化镓场效应晶体管也将提供与 Nexperia 其它产品相同水平的服务和支持。

任何新技术都需要提高可信度，因此我们在研发氮化镓场效应晶体管时，也做了应用和技术方面特有的质量和可靠性测试。

硅基氮化镓（GaN-on-Si）：

用一种封装实现高功率和高效率

电源转换效率是推动电力电子发展的重要因素，但功率密度和效率之间通常需要权衡。

对于高效率和高功率密度的要求，650 V 的硅基氮化镓场效应晶体管是理想的解决方案。它允许在高电压和 大电流下进行高频开关操作。极低的开关品质因数（RDS(on) x QGD）和反向恢复电荷（Qrr）可使器件工作在高频 以降低系统功耗，实现高效率的功率转换。

在相同的测试电路中，与硅器件相比，反向恢复损耗低。

硅基氮化镓：颠覆性工艺

与硅（Si）相比，III-V 化合物半导体，比如 GaN，通常具有性能优势。例如，GaN 物理性能稳定，带隙宽，具有耐高温性和 相当的导热性。但是，III-V 半导体的加工成本往往更高。在大尺寸的硅基片上生成较厚的 GaN 外延层是近期才取得的 一项技术突破。它可以在现有的 8 寸晶圆厂加工制造，在功率应用中将晶圆成本降低到具有竞争力的水平。