Mikroe SRAM 3 Click具有高存储容量的串行非易失性SRAM。该电路板采用德累斯顿Anvo系统ANV32AA1WDK66 1Mb串行SRAM，每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元件，每个存储单元由128k个8位字组成。串行SRAM提供快速访问和循环时间、高数据精度、易用性以及通过高速SPI兼容总线访问的无限读写功能。
车载模块
Anvo系统德累斯顿ANV32AA1WDK66串行非易失性SRAM，具有双内存体系结构和SPI串行接口，每个8位128k字
低功耗
高存储容量
快速访问和循环时间
存储驱动器配置文件、配置和类似数据
医疗器械
