INFINEON BSZ180P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V 新
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
欧时:
### Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ180P03NS3EGATMA1 MOSFET, P-CH, -30V, -39.6A, PG-TSDSON-8 New
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
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BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSZ130N03MSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
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