BFG21W

BFG21W概述

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 4.5V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 18GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~100 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 600mW/0.6W Description & Applications| APPLICATIONS • UHF power transistor • Common emitter class-AB output stage in hand held radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS, etc. • Driver for DCS1800, 1900. DESCRIPTION NPN double polysilicon bipolar power transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. 描述与应用| 特点 •高功率增益 •高效率 •1.9 GHz工作区 线性和非线性操作。 应用 •共发射极AB类输出级在手举行 无线电设备在1.9 GHz,如DECT,PHS等 •驱动程序,DCS1800,1900。 说明 NPN双多晶硅双极功率 埋层低电压中等功率应用 在一个塑料封装,4针的双射SOT343R 包。

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