SIHP18N50C-E3数据手册PDF_SIHP18N50C-E3中文资料-锐单商城

SIHP18N50C-E3概述

VISHAY SIHP18N50C-E3. 晶体管, N沟道

The is a 500VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

.: Low figure-of-merit FOM Ron x Qg

.: 100% Avalanche tested

.: High peak current capability

.: dV/dt Ruggedness

.: Improved trr/Qrr

.: Improved gate charge

.: High power dissipations capability

SIHP18N50C-E3详细参数

SIHP18N50C-E3数据文档

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