IPB180P04P403ATMA1

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P403ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P403ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab TO-263

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -180A; 150W; PG-TO263-7

Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 / P-Channel 40 V 180A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO263-7-3