CSD15380F3

20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、1460mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

这种 20V、990mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。超低电容提高了开关速度。在数据线路 应用中，较低的电容可最大限度减少噪声耦合。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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超低 CiSS 和 COSS

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超低 Qg 和 Qgd

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超小尺寸

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0.73mm x 0.64mm

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超薄

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最大高度为 0.35mm

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集成型静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 4kV 人体模型 HBM

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额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了 优化

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针对通用开关应用进行了 优化

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电池 应用

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手持式和移动类 应用

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