IRF5210LPBF

IRF5210LPBF概述

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.06Ω; ID -40A; TO-262; PD 200W; VGS +/-20V

**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -100V; RDSON 0.06Ohm; ID -40A; TO-262; PD 200W; VGS +/-20V


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262


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