IGW50N65F5数据手册PDF_IGW50N65F5中文资料-锐单商城

IGW50N65F5概述

INFINEON IGW50N65F5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

极低的 VCEsat

低断开损耗

短尾线电流

低 EMI

最大接点温度为 175°C

### IGBT 分立件和模块，Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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