IGW50N60H3数据手册PDF_IGW50N60H3中文资料-锐单商城

IGW50N60H3概述

INFINEON IGW50N60H3 单晶体管, IGBT, 50 A, 2.3 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

极低的 VCEsat

低断开损耗

短尾线电流

低 EMI

最大接点温度为 175°C

得捷:
IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT

立创商城:
IGW50N60H3

贸泽:
IGBT 晶体管 600V 50A 333W

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; Series: H3

儒卓力:
**IGBT 600V 100A 1.85V TO247-3 **

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin3+Tab TO-247

DeviceMart:
IGBT 600V 100A 333W TO247-3

IGW50N60H3数据文档