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IRFBC30APBF概述

VISHAY IRFBC30APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V

The is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.

.: Low gate charge Qg results in simple drive requirement

.: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

.: Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current

.: Effective COSS specified

IRFBC30APBF详细参数

IRFBC30APBF数据文档

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