FQI7N60TU

FQI7N60TU概述

N沟道MOSFET QFET® 800 V, 3.9 A, 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω

N-Channel 600V 7.4A Tc 3.13W Ta, 142W Tc Through Hole I2PAK TO-262


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK


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