0.5A,60V,N沟道功率MOSFET
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| MMBF170LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| MMBF4117 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| MMBF4392 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| MMBF4391LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| MMBF4392LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| MMBF4393LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| MMBFJ113 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| MMBFJ270 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| MMBFJ309LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| MMBFJ176 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| MMBFJ175 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |