BC847S NPN+NPN复合三极管 50V 100mA HEF=200~630 SOT-363 标记1C 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100MA/0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 200~630 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.25W 描述与应用 Description & Applications | NPN型硅房颤阵列 对于房颤输入阶段和驱动程序的应用程序 高电流增益 低饱和电压 两个电内部孤立的晶体管 在一个包有良好的匹配 技术文档PDF下载 | 在线阅读
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BC847S | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BC847CLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC846ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC846BW | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC846BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC846BLT3G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC846BMTF | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| BC846S,125 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC846BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC847BS | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC846BWT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |