RTF015N03 N沟道MOSFET 30V 1.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PP ESD保护门
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Switching 30V, 2.5A Silicon N-channel MOS FET Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package TSMT3 . 描述与应用| 开关（30V，2.5A） 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| RTF015N03 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTF016N05TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTF015N03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTF025N03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTF015P02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTF010P02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
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| RTF025N03FRATL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
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