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BS170_D26Z概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170_D26Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

增强模式 N 通道 MOSFET， Semiconductor

增强模式场效应 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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