CSD13380F3

12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150

这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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RθJA = 90°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45cm2，2 盎司

（厚度 0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）。RθJA = 255°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

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低导通电阻

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超低 Qg 和 Qgd

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高运行漏极电流

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超小尺寸

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0.73mm x 0.64mm

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薄型

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最大高度为 0.35mm

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集成静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 3kV 人体模型 HBM

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额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了 优化

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针对通用开关应用进行了 优化

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电池 应用

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手持式和移动类 应用

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