40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET
此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸}2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| CSD18502Q5B | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD16301Q2 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17308Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD163CEVM-591 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
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