VISHAY SI1308EDL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.11 ohm, 10 V, 600 mV
The is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
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| SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI1317DL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
| SI1302DL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
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