IPA60R190E6XKSA1

IPA60R190E6XKSA1概述

INFINEON  IPA60R190E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190E6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP / N-Channel 600 V 20.2A Tc 34W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA60R190E6XKSA1数据文档
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