DMG1012T-7
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
DMG1012T-7
DMG1012T-7 KUU/深圳永裕泰
品牌:YONGYUTAI
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
DMG1012T-7
DMG1012T-7 华轩阳电子
品牌:华轩阳电子
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
DMG1012T-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
品牌:Diodes Zetex
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, SOT-523
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
Days to ship 8
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
N-Channel 20 V 400 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
N-Channel 20 V 400 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
DMG1012T-7
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:DIODES
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 400 毫欧 600mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.74 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±6V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 60.67 pF 16 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 280mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-523 |
封装/外壳: | SOT-523 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
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