DMG1012T-7
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523
品牌：TECH PUBLIC
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DMG1012T-7
DMG1012T-7
品牌：KUU
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DMG1012T-7
DMG1012T-7 KUU/深圳永裕泰
品牌：YONGYUTAI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
DMG1012T-7
DMG1012T-7 华轩阳电子
品牌：华轩阳电子
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
DMG1012T-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-523 T/R
品牌：Diodes Zetex
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, SOT-523
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
Days to ship 8
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
N-Channel 20 V 400 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
N-Channel 20 V 400 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 630 mA, SOT-523 (SC-89)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：DIODES
库存：0
货期： 7~10工作日
DMG1012T-7
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Diodes Incorporated |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 630mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 400 毫欧 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 0.74 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 60.67 pF 16 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 280mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-523 |
| 封装/外壳: | SOT-523 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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