DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.69344
最低起订

自营

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥0.384869
最低起订

DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7 VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥0.372902
最低起订

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.309372
最低起订

自营

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.936846
最低起订

DigiKey

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.618867
最低起订

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.659577
最低起订

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.659577
最低起订

Mouser

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥5.861856
最低起订

艾睿

DMN2020LSN-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.520914
最低起订

DMN2020LSN-7

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, SC-59-3

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥3.194256
最低起订

DMN2020LSN-7

Days to ship 8

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥0.738698
最低起订

DMN2020LSN-7

Days to ship 8

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.993322
最低起订

DMN2020LSN-7

DMN2020LSN Series 20V 6.9 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59-3

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.024861
最低起订

DMN2020LSN-7

MOSFET, N-CH, 20V, SC-59-3

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥3.344627
最低起订

DMN2020LSN-7

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 20 毫欧 9.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.6 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1149 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 610mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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