自营
FDD18N20LZ
FDD18N20LZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDD18N20LZ
FDD18N20LZ JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDD18N20LZ
FDD18N20LZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDD18N20LZ
FDD18N20LZ BYCHIP/百域芯
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
FDD18N20LZ
Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 16A, TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
Days to ship 11
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
MOSFET, N-CH, 200V, 16A, TO-252-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
N-Channel Power MOSFET Logic Level UniFETTM 200 V 16 A 125 m? DPAK
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDD18N20LZ
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | UniFET™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 125 毫欧 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 40 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1575 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 89W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00