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自营
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自营
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DigiKey
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Mouser
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FQT1N60CTF-WS
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.2A, SOT-223-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥7.362692
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FQT1N60CTF-WS
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥2.68268
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FQT1N60CTF-WS
MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 5+ ￥7.713808
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FQT1N60CTF-WS
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11.5 欧姆 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.2 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 170 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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