销售单价： 1000+ ￥5.416329
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销售单价： 695+ ￥4.163356
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销售单价： 10+ ￥2.465388
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销售单价： 11+ ￥12.889028
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销售单价： 10+ ￥5.931671
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FQPF11P06
FQPF11P06 VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥2.825531
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ 需询价
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艾睿
FQPF11P06
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1000+ ￥6.367118
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FQPF11P06
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥16.74641
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FQPF11P06
onsemi P沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=60 V, 6.1 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥11.432088
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FQPF11P06
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | QFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 550 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 30W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220F-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00