自营
FDN357N
品牌：TECH PUBLIC
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDN357N
FDN357N UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
FDN357N
FDN357N HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
品牌：华轩阳电子
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
FDN357N
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
场效应管, MOSFET, N, SOT-23
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 1.9A, SUPERSOT
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
Days to ship 3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
MOSFET, N, SOT-23
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
MOSFET, N CH, 30V, 1.9A, SUPERSOT
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 1.9A 90m?
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 1.9 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, FDN357N
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
FDN357N
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 60 毫欧 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 5.9 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 235 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00