销售单价： 10+ ￥18.921375
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自营
销售单价： 1+ ￥10.796143
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DigiKey
Mouser
销售单价： 1+ ￥42.219172
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艾睿
FDMS86200
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥13.699792
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FDMS86200
N-Channel 150 V 35 A Shielded Gate PowerTrench Mosfet - POWER56
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥10.627569
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FDMS86200
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 9.6A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 18 毫欧 9.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 46 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2715 pF 75 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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