自营
IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IRF5801TRPBF
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
场效应管, MOSFET, N 200V TSOP-6
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
Days to ship 9
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
Days to ship 10
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
MOSFET, N, 200V, TSOP-6
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 600 mA, TSOP-6, 贴片安装, 6引脚, IRF5801TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 600 mA, TSOP-6, 贴片安装, 6引脚, IRF5801TRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF5801TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.2 欧姆 360mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.9 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 88 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Micro6™（TSOP-6） |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00