IRF5801TRPBF

自营

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.16657
最低起订

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥0.972356
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自营

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥1.592342
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DigiKey

IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.751562
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IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.232747
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IRF5801TRPBF

MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.232747
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Mouser

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品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
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IRF5801TRPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.2 欧姆 360mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 88 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Micro6™(TSOP-6)
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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