自营
IRFB3207PBF
IRFB3207PBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
DigiKey
Mouser
艾睿
IRFB3207PBF
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
场效应管, MOSFET, N, TO-220 75V
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
Days to ship 10
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC HEXFET Power Mosfet - TO-220-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 180 A, TO-220AB, 通孔安装, IRFB3207PBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 180 A, TO-220AB, 通孔安装, IRFB3207PBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRFB3207PBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 170A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.5 毫欧 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 260 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7600 pF 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 330W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00