IRF9389TRPBF
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9389TRPBF
IRF9389TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子
品牌:TECH PUBLIC
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRF9389TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 8.9A, SOIC-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
Days to ship 11
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRF9389TRPBF
MOSFET, DUAL N & P-CH, 30V, 6.8A, SOIC-8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.8A,4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 27 毫欧 6.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.3V 10µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 14nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 398pF 15V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00