IPD80R900P7ATMA1

IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.29885
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自营

IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥6.717169
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DigiKey

IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥6.861247
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IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.572756
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IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.572756
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Mouser

IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥24.482246
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艾睿

IPD80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2500+ ¥8.172901
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IPD80R900P7ATMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 900 毫欧 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 110µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 500 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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