IRF6618TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A (Ta), 170A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V, 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.2mOhm 30A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.35V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 65 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5640 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商器件封装: | DIRECTFET™ MT |
封装/外壳: | DirectFET™ Isometric MT |
温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
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供货:锐单
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