销售单价： 10+ ￥16.90612
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自营
销售单价： 1+ ￥4.705304
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自营
销售单价： 2500+ ￥3.98337
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DigiKey
销售单价： 2500+ ￥9.744379
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销售单价： 1+ ￥21.587773
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Mouser
销售单价： 1+ ￥24.677958
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NVD5C688NLT4G
Days to ship 3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥14.272278
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NVD5C688NLT4G
onsemi N沟道增强型MOS管 NVD5C688NL-D系列, Vds=60 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥6.788715
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NVD5C688NLT4G
onsemi N沟道增强型MOS管 NVD5C688NL-D系列, Vds=60 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥10.064537
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NVD5C688NLT4G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 27.4 毫欧 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.4 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 400 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 18W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DPAK |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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