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NTR1P02T1G
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1A, SOT-23-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
Days to ship 10
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
P-Channel 20 V 148 mOhm 440 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-23
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
MOSFET, P CH, -20V, 1A, SOT-23-3
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
NTR1P02T1G P-channel MOSFET Transistor; 1 A; 20 V; 3-Pin SOT-23
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, NTR1P02T1G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTR1P02T1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 180 毫欧 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.5 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 165 pF 5 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 400mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00