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NTJD1155LT1G
Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
Power Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 8V, 1.3A, SC-88-6
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
Days to ship 8
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
Days to ship 9
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
P-Channel 8 V 130 mOhm 400 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-363
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
MOSFET, N & P-CH, 8V, 1.3A, SC-88-6
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 1.3 A, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, NTJD1155LG
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 1.3 A, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, NTJD1155LG
品牌：onsemi
库存：0
货期： 7~10工作日
NTJD1155LT1G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 175 毫欧 1.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | - |
| 功率 - 最大值: | 400mW |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00