NTHD3102CT1G

自营

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.573213
最低起订

自营

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.3092
最低起订

DigiKey

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥5.718286
最低起订

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.491395
最低起订

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.491395
最低起订

Mouser

NTHD3102CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.151934
最低起订

艾睿

NTHD3102CT1G

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥5.333683
最低起订

NTHD3102CT1G

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A,3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 4.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 510pF 10V
功率 - 最大值: 1.1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: ChipFET™
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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