NTMD3P03R2G
NTMD3P03R2G BYCHIP/百域芯
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
NTMD3P03R2G
NTMD3P03R2G VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
NTMD3P03R2G
NTMD3P03R2G UMW/友台半导体
品牌:UMW
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
NTMD3P03R2G
Trans MOSFET P-CH 30V 3.05A 8-Pin SOIC N T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
NTMD3P03R2G
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -3.05A, SOIC
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
NTMD3P03R2G
MOSFET, P-CH, -30V, -3.05A, SOIC
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
FET 类型: | 2 P-Channel (Dual) |
FET 功能: | Logic Level Gate |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.34A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 85mOhm 3.05A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 750pF 24V |
功率 - 最大值: | 730mW |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00