自营
销售单价： 1+ ￥15.833614
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销售单价： 1+ ￥11.858
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NTB25P06T4G
NTB25P06T4G VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥3.814258
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自营
销售单价： 800+ ￥9.122004
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DigiKey
销售单价： 800+ ￥15.762792
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销售单价： 1+ ￥28.169782
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销售单价： 1+ ￥28.169782
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Mouser
销售单价： 1+ ￥35.815573
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艾睿
NTB25P06T4G
Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥11.97983
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NTB25P06T4G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 27.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 82 毫欧 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 50 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1680 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 120W（Tj） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D²PAK |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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