QS8K11TCR

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 100+ ¥6.534899
最低起订

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 112+ ¥2.237937
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DigiKey

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥4.117331
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QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.632229
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QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥10.632229
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Mouser

QS8K11TCR

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

品牌:Rohm Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.061255
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QS8K11TCR

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: -
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.3nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF 10V
功率 - 最大值: 1.5W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: TSMT8
温度: 150°C(TJ)

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型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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