自营
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销售单价： 193+ ￥1.506735
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自营
销售单价： 3000+ ￥0.843238
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DigiKey
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Mouser
销售单价： 1+ ￥8.226552
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RQ3E080BNTB
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 365+ ￥1.815077
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RQ3E080BNTB
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 236+ ￥1.142137
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RQ3E080BNTB
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 15A, TSMT
品牌：ROHM
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥4.438716
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RQ3E080BNTB
Days to ship 3
品牌：ROHM
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 50+ ￥0.973868
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RQ3E080BNTB
MOSFET, N CH, 30V, 15A, TSMT
品牌：ROHM
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥4.614221
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RQ3E080BNTB
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 15.2 毫欧 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 14.5 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 660 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-HSMT（3.2x3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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