ZVNL110GTA

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.3673
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 20+ ¥7.652645
最低起订

自营

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥3.770545
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.237653
最低起订

ZVNL110GTA

ZVNL110GTA UDU SEMICONDUTOR

品牌:UDU SEMICONDUTOR

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥2.512712
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 44+ ¥5.952198
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥3.768303
最低起订

ZVNL110GTA

ZVNL110GTA VBSEMI/台湾微碧半导体

品牌:VBsemi

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.643592
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.635131
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1.077402
最低起订

自营

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥2.475492
最低起订

DigiKey

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥6.128481
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥22.336007
最低起订

Mouser

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

品牌:Diodes Incorporated

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥18.73867
最低起订

艾睿

ZVNL110GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

品牌:Diodes Zetex

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥4.510217
最低起订

ZVNL110GTA

MOSFET, N-CH, 100V, 0.6A, SOT-223

品牌:DIODES

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.80487
最低起订

ZVNL110GTA

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 75 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-3
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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